德邦科技(688035.SH)7月24日在投资者互动平台表示，HBM 是一种基于3D 堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠，每一层dram之间通过bump焊接到一起，焊接后dram与dram中间会存在空隙，bump非常脆弱，需要用underfill填充保护，起到应力平衡的作用。

芯片级underfill整体处于前期验证导入阶段

近日，有投资者在投资者互动平台提问：公司产品能否应用到HBM存储芯片生产过程中，公司与sk海力士有无合作?

德邦科技(688035.SH)7月24日在投资者互动平台表示，HBM 是一种基于3D 堆叠工艺的dram内存芯片，由多层dram堆叠，每一层dram之间通过bump焊接到一起，焊接后dram与dram中间会存在空隙，bump非常脆弱，需要用underfill填充保护，起到应力平衡的作用。公司芯片级underfill已有型号通过国内部分客户验证，整体上仍处于前期验证导入阶段。目前尚未在HBM中应用，未来能否应用，取决于产品性能的匹配、客户供应链的选择等多种因素。

公司与SK海力士尚未在该材料有业务合作。

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